إنتاج اتصالات أومية ذات مقاومة واطئة عمى السميكون المانح بوساطة الاحتثاث بالميزر
الشريط الجانبي للمقالة
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
في ىذا البحث ، تمت د ا رسة إمكانية إنتاج اتصالات أومية شبو مثالية وبكفااةة لاتصاال In/n-Si بوسااطة
ليزر نيدميوم ياك النبضي وبأمد نبضة - 300 s . جرى استخدام عادة كثافاات طاقاة ليزرياة، وقاد تام تحدياد
أفضل كثافة طاقة التي تعطي أفضل النتائج . وقد تم مناقشة طبوغ ا رفية السطوح المشاععة بشاكل مساتفيت لتحدياد ارو
السطح التي تمعب الدور الميم في التأثير عما نوعياة الاتصاال ، وقاد دعمات التفساي ا رت بالصاور الفوتوغ ا رفياة. إن قياساات
تيار جيد في الانحيازين الأمامي والعكسي كذلك ارتفاع الحاجز تم د ا رستيا لمنماذج المشععة بالميزر. إن إج ا رة مقارنة باين -
نتائج ىذا البحث والنتائج المنشورة أثبتت أن ىذه النتائج توافق الاتصال الأومي القياسي، وان مقاومة الاتصال النوعي ذات
القيماة (1.9 x 10-4 .cm2) قاد تام الحصاول عميياا لمنمااذج المشاععة بطاقاة 21.1 J.cm-2 وىاي أقال قيماة مساجمة لحاد
الآن لاتصال In/n-Si .
تفاصيل المقالة
كيفية الاقتباس
