التحقق هن تصليب غشاء رقيق لوادة SiO2 sol-gel باستخذام التقنياث الاعتياديت وتقنيت ليزر الحالت الصلبت الوضخ بليزر الثنائي DPSS Laser
الشريط الجانبي للمقالة
منشور:
2018-02-27
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
الاغشيح السقيقه المحضَّسج مه ثىائي اوكسيد السيليكىن ذو الثىيح الىاوىيح كُثِّفد ترقىيح الركثيف الاعريادي
والركثيف تليزز الدايىد (532 nm). . فحصد العيىاخ المُحضّسج تالطسق الاذيح: الحيىد تأشعح - X , ومجهس القىج الرزيح ,
والميكسوسكىب الالكرسووي الماسح. اظهسخ ورائج الحيىد تأشعح X تان ذسكية ثىائي اوكسيد السيليكىن كان غيس مرثلىز.
الصىز المأخىذج تمجهس القىج الرزيح و تالمايكسوسكىب الالكرسووي الماسح اظهسخ تإن شكل المسكة الىاوىي كان كسويا
وحجىمه )≥ 011 واوىمرس(. اصغس جسيمح لثىائي اوكسيد السيليكىن المكثف تىاسطح الليزز هى (26 nm) تيىما اصغس
جسيمح لثىائي اوكسيد السيليكىن المكثف تىاسطح الفسن هى (111 nm) .
تفاصيل المقالة
إصدار
القسم
Articles
كيفية الاقتباس
[1]
N. M. Abdulmalek و M. K. Dhahir, "التحقق هن تصليب غشاء رقيق لوادة SiO2 sol-gel باستخذام التقنياث الاعتياديت وتقنيت ليزر الحالت الصلبت الوضخ بليزر الثنائي DPSS Laser", IJL, م 17, عدد A, ص 41–45, 2018, doi: 10.31900/ijl.v17iA.33.
